IBM napravio najbrži silicijski tranzistor na svijetu

Samo tjedan dana nakon što je Intel objavio da je napravio najbrži silicijski tranzistor na svijetu, IBM se pohvalio da je napravio još brži.

Radni takt novog uređaja fantastičnih je 210 gigaherca, a izrađen je dosta neobičnim načinom proizvodnje koji se koristi kombinacijom elemenata silicija i germanija i koji IBM razvija već više od deset godina. Silicij-germanijski tranzistori koriste se najviše u telekomunikacijskim uređajima kao što su mobiteli i mrežni sustavi temeljeni na optičkim vlaknima te u znanstvenoj opremi za razna mjerenja. Tako će i prva primjena novog IBM-ovog tranzistora biti u mobitelima 3G generacije. Znanstveni tim koji je postigao ovaj uspjeh predvodio je Bernard S. Meyerson, član upravnog odbora i potpredsednik Centra za istraživanje razvoja telekomunikacijskih sustava pri IBM-u.

Brzina tranzistora određena je brzinom elektrona koji kroz njih prolaze. To ovisi od tvari od koje je tranzistor napravljen i od duljine puta koju napon mora prevaliti. Danas standardni tranzistori izrađeni su od silicija, no još 1989. IBM je predstavio tehnologiju poboljšanja performansi silicijskih tranzistora dodavanjem germanija čime se ubrzao električni tok i smanjila potrošnja energije na samo jedan miliamper električne struje. Najnovjim dostignućem, koje je postignuto novim "vertikalnim" dizajnom samog uređaja kao i primjenom silicij-germanijskog sloja, povećana je brzina rada samog tranzistora toliko da u IBM-u predviđaju da će pomoću novih tranzistora za samo dvije godine graditi čipove brzine i 100 gigherca.

Iako je izrada silicij-germanijskog tranzistora tih karakteristika izuzetno postignuće, njime je ujedno dostignuto i samo fizičko ograničenje tehnologije izrade poluvodičkih uređaja. Budući da u bipolarnim tranzistorima napon teče vertikalno, debljina uređaja presudna je za njegove karakteristike. Današnji tranzistori debeli su oko 100 atoma, a to bi se stanjivanjem Silicij-germanijskog sloja još moglo smanjiti na pola čime bi se udvostručile upravo postignute performanse. No od tada prostora za daljnja poboljšanja bit će sve manje. Novi IBM-ov SiGe tranzistor nazvan je "heterojuction bipolar transistor".